[发明专利]功率半导体装置和用于制造功率半导体装置的方法有效
| 申请号： | 201410446027.3 | 申请日： | 2014-09-03 |
| 公开（公告）号： | CN104425406B | 公开（公告）日： | 2019-01-08 |
| 发明（设计）人： | 英戈·博根;马库斯·贝克;哈特姆特·库拉斯;亚历山大·波佩斯修;赖因哈德·赫尔德费尔 | 申请（专利权）人： | 赛米控电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/367 | 分类号： | H01L23/367;H01L23/473;H01L21/50 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 杨靖;车文 |
| 地址： | 德国*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 本发明涉及一种功率半导体装置和用于制造功率半导体装置的方法。该功率半导体装置具有功率半导体模块和冷却体，冷却体具有第一和第二冷却壳体构件，第一冷却壳体构件具有穿透过该第一冷却壳体构件的缺口，冷却板布置在缺口中，第一和第二冷却壳体构件具有的形状和相互之间的布置使得在冷却板的背离功率半导体器件的侧上构造出空腔，冷却板借助围绕该冷却板的第一焊缝与第一冷却壳体构件连接，第一焊缝使冷却板相对于第一冷却壳体构件密封，第二冷却壳体构件与第一冷却壳体构件连接。本发明提供的功率半导体装置具有从功率半导体器件到功率半导体装置的能被液体流过的冷却体的良好的热传导，并且在功率半导体装置中冷却体是长期且稳定地密封的。 | ||
| 搜索关键词： | 功率 半导体 装置 用于 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种具有功率半导体模块(3)和能被液体流过的冷却体(2)的功率半导体装置，其中，所述功率半导体模块(3)具有功率半导体器件(9)，所述功率半导体器件布置在导电的迹线(13)上，其中，所述功率半导体模块(3)具有不导电的绝缘层(6)和冷却板(5)，其中，所述绝缘层(6)布置在所述迹线(13)与所述冷却板(5)之间，其中，所述冷却体(2)具有第一冷却壳体构件和第二冷却壳体构件，所述第一冷却壳体构件具有穿透过所述第一冷却壳体构件的缺口(25)，其中，所述冷却板(5)布置在所述缺口(25)中，其中，所述第一冷却壳体构件和所述第二冷却壳体构件具有的形状和相互之间的布置使得在所述冷却板(5)的背离所述功率半导体器件(9)的侧(D)上构造出空腔(18)，其中，所述冷却板(5)借助围绕所述冷却板(5)的第一焊缝(17)与所述第一冷却壳体构件连接，其中，所述第一焊缝(17)使所述冷却板(5)相对于所述第一冷却壳体构件密封，其中，所述第二冷却壳体构件与所述第一冷却壳体构件连接，并且其中，所述第一焊缝(17)将所述冷却板的侧向侧面(15)与所述第一冷却壳体构件的限定出所述缺口(25)的侧向侧面(16)连接起来，其中，所述第一冷却壳体构件的限定出所述缺口(25)的侧向侧面(16)的区段(16a)具有与所述冷却板(5)的侧向侧面(15)的区段(15a)相对应的形状，其中，所述冷却板(5)的侧向侧面(15)的区段(15a)具有到所述冷却板的朝向所述功率半导体器件(9)的主面(14)的91°至115°或89°至65°的角度(α)，而所述第一冷却壳体构件的限定出所述缺口(25)的侧向侧面(16)的区段(16a)到所述冷却板(5)的朝向功率半导体器件(9)的主面(14)具有等于所述冷却板(5)的侧向侧面(15)的区段(15a)到所述冷却板(5)的朝向功率半导体器件(9)的主面(14)的角度(α)的角度(β)。
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