[发明专利]一种Si-APD的偏压方法有效
| 申请号： | 201410446284.7 | 申请日： | 2014-09-03 |
| 公开（公告）号： | CN104199502A | 公开（公告）日： | 2014-12-10 |
| 发明（设计）人： | 叶兵;蒋兴亚;汪渝洋 | 申请（专利权）人： | 重庆航伟光电科技有限公司 |
| 主分类号： | G05F1/56 | 分类号： | G05F1/56 |
| 代理公司： | 无 | 代理人： | 无 |
| 地址： | 400060 *** | 国省代码： | 重庆;85 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种Si-APD偏压方法，包括一背光Si-APD单管和一面光Si-APD单管，该背光Si-APD单管与面光Si-APD单管相邻设置，其特征在于，将环境对面光Si-APD单管造成的影响补偿消除，包括如下步骤：对背光Si-APD单管的暗电流进行连续采样，得到一连续的暗电流值；因暗电流值与面光Si-APD单管的偏置电压相关；设置一控制电压产生电路连接至背光Si-APD单管和面光Si-APD单管的共用负极上，控制控制电压产生电路所产生的电压值使得暗电流值维持在设定值时，该电压值即为相应的偏置电压。该发明解决了传统动态偏置的复杂性问题，也降低了测距系统的复杂程度和成本，简单实用。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 si apd 偏压 方法 | ||
【主权项】：
一种Si‑APD的偏压方法，包括一背光Si‑APD单管和一面光Si‑APD单管，该背光Si‑APD单管与面光Si‑APD单管相邻设置，其特征在于，将环境对面光Si‑APD单管造成的影响补偿消除，包括如下步骤：对背光Si‑APD单管的暗电流进行连续采样，得到一连续的暗电流值；因暗电流值与面光Si‑APD单管的偏置电压相关；设置一控制电压产生电路连接至背光Si‑APD单管和面光Si‑APD单管的共用负极上，控制控制电压产生电路所产生的电压值使得暗电流值维持在设定值时，该电压值即为相应的偏置电压。
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