[发明专利]硅控整流器ESD保护结构在审
| 申请号： | 201410446607.2 | 申请日： | 2014-09-03 |
| 公开（公告）号： | CN104332467A | 公开（公告）日： | 2015-02-04 |
| 发明（设计）人： | 邓樟鹏 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/02 | 分类号： | H01L27/02 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 丁纪铁 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种硅控整流器ESD保护结构，包括：一硅控整流器其接地端通过并联的MOS管和第一电阻接地，所述MOS管栅极通过第二电阻接地；所述硅控整流器包括：位于P型阱顶端被P型阱隔离开的第一P+扩散区和第一N+扩散区，位于N型阱顶端被N型阱隔离开的第二P+扩散区和第二N+扩散区；第一P+扩散区和第一N+扩散区相连形成所述所述硅控整流器的接地端，第二P+扩散区和第二N+扩散区相连形成所述所述硅控整流器的静电端。本发明的硅控整流器ESD保护结构能提高硅控整流器开启后过低的骤回电压，能避免瞬态闩锁效应的发生。 | ||
| 搜索关键词： | 整流器 esd 保护 结构 | ||
【主权项】：
一种硅控整流器ESD保护结构，其特征是，包括：一硅控整流器其接地端通过并联的MOS管和第一电阻接地，所述MOS管栅极通过第二电阻接地；所述硅控整流器包括：位于P型阱顶端被P型阱隔离开的第一P+扩散区和第一N+扩散区，位于N型阱顶端被N型阱隔离开的第二P+扩散区和第二N+扩散区；第一P+扩散区和第一N+扩散区相连形成所述所述硅控整流器的接地端，第二P+扩散区和第二N+扩散区相连形成所述所述硅控整流器的静电端。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
