[发明专利]晶体硅太阳能电池交替式金属前电极及其制备方法在审
申请号: | 201410447527.9 | 申请日: | 2014-09-03 |
公开(公告)号: | CN104183657A | 公开(公告)日: | 2014-12-03 |
发明(设计)人: | 陈奕峰;邓伟伟;陈达明;崔艳峰;王子港;刘斌辉;皮尔·雅各·威灵顿;冯志强 | 申请(专利权)人: | 常州天合光能有限公司 |
主分类号: | H01L31/0224 | 分类号: | H01L31/0224;H01L31/18 |
代理公司: | 常州市科谊专利代理事务所 32225 | 代理人: | 孙彬 |
地址: | 213022 江苏省*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本发明公开了一种晶体硅太阳能电池交替式金属前电极及其制备方法,该晶体硅太阳能电池交替式金属前电极包括多列主栅和多行细栅,细栅与主栅相连接,每行细栅包括呈分布式交替设置的多个连接非银电极和多个局域银电极;其中,局域银电极贯穿减反钝化膜后与p-n结形成欧姆接触,连接非银电极设置在减反钝化膜的上表面上,并且每行细栅中,连接非银电极的两端与相邻的局域银电极形成欧姆接触。本发明不仅能够降低由于减反钝化膜被破坏造成的接触复合损失,而且能够降低生产过程中的银浆料的消耗量。 | ||
搜索关键词: | 晶体 太阳能电池 交替 金属 电极 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种晶体硅太阳能电池交替式金属前电极,包括多列主栅(6)和多行细栅,细栅与主栅(6)相连接,其特征在于:每行细栅包括呈分布式交替设置的多个连接非银电极(5)和多个局域银电极(4);其中,局域银电极(4)贯穿减反钝化膜(3)后与p‑n结形成欧姆接触,连接非银电极(5)设置在减反钝化膜(3)的上表面上,并且每行细栅中,连接非银电极(5)的两端与相邻的局域银电极(4)形成欧姆接触。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
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