[发明专利]一种提高ITO薄膜性能的磁控溅射工艺

摘要

本发明公开了一种提高ITO薄膜性能的磁控溅射工艺，步骤如下：选取高透玻璃衬底，将其放入磁控溅射设备中；将磁控溅射设备的温底调至300℃，抽真空度至10^(-4)Pa；在磁控溅射设备中通入氩气与氧气的混合气体；开启磁控溅射设备电源，进行ITO薄膜沉积；ITO薄膜沉积后，关闭磁控溅射设备电源；在磁控溅射设备中继续抽真空，保持温度300℃、真空度为10^(-4)Pa，时间为30min；在磁控溅射设备中充气至大气压，温度降低至室温，最后取出高透玻璃衬底。本发明增加原位真空低温退火步骤，使ITO薄膜光学透过率达到90%～95%，方块电阻在30Ω/sq以下，且无需改变现有设备。

主权项

一种提高ITO薄膜性能的磁控溅射工艺，步骤如下：第一步，选取高透玻璃衬底，将其放入磁控溅射设备中；第二步，将磁控溅射设备的温度调至300℃，抽真空度至10^(‑4)Pa；第三步，在磁控溅射设备中通入氩气与氧气的混合气体，所述氩气与氧气的流量比为40:1，沉积压力为10^(‑3)Pa；第四步，开启磁控溅射设备电源，进行ITO薄膜沉积，其电源功率为1800W，所述ITO薄膜沉积时间为10min；第五步，ITO薄膜沉积后，关闭磁控溅射设备电源，停止通入氩气与氧气的混合气体；第六步，在磁控溅射设备中充气至大气压，温度降低至室温，最后取出高透玻璃衬底；其特征在于：在第五步与第六步之间增加原位真空低温退火步骤，所述原位真空低温退火步骤的具体工艺为：在磁控溅射设备中继续抽真空，保持温度300℃、真空度为10^(‑4)Pa，时间为30min。