[发明专利]描绘方法以及描绘装置有效
申请号: | 201410449209.6 | 申请日: | 2014-09-04 |
公开(公告)号: | CN104465335B | 公开(公告)日: | 2017-04-05 |
发明(设计)人: | 中井一博 | 申请(专利权)人: | 斯克林集团公司 |
主分类号: | H01L21/027 | 分类号: | H01L21/027;H01L21/66;G03F7/20 |
代理公司: | 北京同立钧成知识产权代理有限公司11205 | 代理人: | 臧建明 |
地址: | 日本京都市上京区堀川*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 本发明提供一种描绘方法以及描绘装置。描绘方法包括检测设置在基板的多个芯片的对准标记的位置,算出距正规位置的位置偏移量。如果是各对准标记间的相对的位置偏移较小的线性偏移,使平台只移动所求出的移动量而调整描绘位置。在非线性偏移的情况下,推定并实际测量另外的对准标记的位置,如果推定位置与实际位置之间的位置偏移小,修正栅格数据,如果推定位置与实际位置之间的位置偏移大,通过对准标记检测而求出各芯片的位置,并进行重新的栅格图像加工处理。 | ||
搜索关键词: | 描绘 方法 以及 装置 | ||
【主权项】:
一种描绘方法,从描绘单元把光照射到设置在描绘对象物的多个描绘区域的每一个而进行描绘,其特征在于包括:第一步骤,生成对应于要描绘的内容的栅格数据;第二步骤,将所述描绘单元相对于所述描绘对象物而定位;第三步骤,将所述多个描绘区域中的两个以上作为检测对象区域并检测其位置;第四步骤,基于所述检测对象区域的位置检测结果,调整所述描绘单元对所述描绘对象物的描绘位置;以及第五步骤,基于所述栅格数据,从所述描绘单元把所述光照射到所述描绘对象物的所述描绘位置而进行描绘;且在所述第四步骤中,判断所述第三步骤中所检测出的所述检测对象区域间的相对的第一位置偏移量是否在第一阈值以内,当判断为所述第一位置偏移量在所述第一阈值以内时,执行第一调整处理,基于所述检测对象区域的位置检测结果与对应于所述检测对象区域预先设定的基准位置之间的位置偏移量,而通过平台的移动调整所述描绘单元与所述描绘对象物的相对位置,由此调整所述描绘位置,另一方面,当判断为所述第一位置偏移量超过所述第一阈值时,进而将所述多个描绘区域中的与所述检测对象区域不同的至少一个作为二次检测对象区域并检测其位置,判断所检测出的位置与根据所述第三步骤中的所述检测对象区域的位置检测结果而推定出的所述二次检测对象区域的位置之间的第二位置偏移量是否在第二阈值以内,当判断为所述第二位置偏移量在所述第二阈值以内时,执行第二调整处理,通过所述栅格数据的修正来应对所述第三步骤中的所述检测对象区域的位置检测结果和所述基准位置之间的位置偏移量相应的修正,由此调整所述描绘位置,当判断为所述第二位置偏移量超过所述第二阈值时,执行第三调整处理,检测所述描绘对象物中所包含的所有所述描绘区域的位置,并基于该位置检测结果重新执行RIP处理,而重新生成所述栅格数据,由此调整所述描绘位置。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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