[发明专利]自触发堆叠STSCR‑LDMOS高压ESD保护电路

摘要

本发明提供了一种自触发堆叠STSCR‑LDMOS的高压ESD保护电路，属于电子技术领域。包括N个STSCR‑LDMOS堆叠单元，所述STSCR‑LDMOS堆叠单元包括一个STSCR‑LDMOS器件和一个电阻，其中N≥2，衬底上还有N+1个P型重掺杂区作为保护环接地。该电路通过第一个STSCR‑LDMOS击穿并触发堆叠STSCR‑LDMOS，在不增加触发电压的基础上，有效提高了维持电压。

主权项

一种STSCR‑LDMOS器件，包括P型衬底(201)、高压N型阱区(202)、P型阱区(203)、第一P型重掺杂区(205)、第二P型重掺杂区(206)、第三P型重掺杂区(208)、第一N型重掺杂区(204)、第二N型重掺杂区(207)、多晶硅(209)、场氧(211)和栅氧(212)；所述高压N型阱区(202)位于P型衬底(201)之上，第一N型重掺杂区(204)、第一P型重掺杂区(205)和P型阱区(203)位于高压N型阱区(202)之上，第二P型重掺杂区(206)、第二N型重掺杂区(207)和第三P型重掺杂区(208)位于P型阱区(203)之上；多晶硅(209)位于高压N型阱区(202)和P型阱区(203)交界处之上且位于第一P型重掺杂区(205)和第二P型重掺杂区(206)之间，第一P型重掺杂区(205)位于第一N型重掺杂区(204)和第二P型重掺杂区(206)之间，第二N型重掺杂区(207)位于第二P型重掺杂区(206)和第三P型重掺杂区(208)之间；第一N型重掺杂区(204)和第一P型重掺杂区(205)作为阳极；第二N型重掺杂区(207)和第三P型重掺杂区(208)作为阴极；第二P型重掺杂区(206)接P‑trig端；多晶硅(209)、场氧(211)和栅氧(212)组成了栅极。