[发明专利]变掺杂器件制作方法及变掺杂器件在审
| 申请号： | 201410449573.2 | 申请日： | 2014-09-04 |
| 公开（公告）号： | CN105390397A | 公开（公告）日： | 2016-03-09 |
| 发明（设计）人： | 杜蕾;郑玉宁 | 申请（专利权）人： | 北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/265;H01L29/78;H01L29/06 |
| 代理公司： | 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 | 代理人： | 李相雨 |
| 地址： | 100871 北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种变掺杂器件制作方法，包括：步骤S3，直接在半导体衬底上形成光刻层，将需要掺杂的杂质注入到半导体衬底中；步骤S4，去除光刻层；步骤S5，推阱；步骤S6，去除氧化层。采用本发明提供的掺杂器件制作方法所制作的掺杂器件表面平坦，从而消除由于表面不平导致的电场的负面效应。 | ||
| 搜索关键词： | 掺杂 器件 制作方法 | ||
【主权项】：
一种变掺杂器件制作方法，其特征在于，包括：步骤S3，直接在半导体衬底上形成光刻层，将需要掺杂的杂质注入到半导体衬底中；步骤S4，去除光刻层；步骤S5，推阱；步骤S6，去除氧化层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
