[发明专利]干法刻蚀微电机系统牺牲层的方法有效
| 申请号： | 201410449776.1 | 申请日： | 2014-09-04 |
| 公开（公告）号： | CN104261345A | 公开（公告）日： | 2015-01-07 |
| 发明（设计）人： | 史晔;雷述宇 | 申请（专利权）人： | 北方广微科技有限公司 |
| 主分类号： | B81C1/00 | 分类号： | B81C1/00 |
| 代理公司： | 北京汉昊知识产权代理事务所(普通合伙) 11370 | 代理人： | 朱海波 |
| 地址： | 100176 北京市大兴区经济技*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供了干法刻蚀微电机系统牺牲层的方法，该方法包括以下步骤：a、提供CMOS集成电路的半导体衬底，该半导体衬底表面具有CMOS集成电路引线端；b、在所述半导体衬底上涂覆牺牲层；c、在所述牺牲层上涂覆光刻胶；d、分两步对涂覆光刻胶的牺牲层进行反应离子刻蚀，形成所需图形，其中在所述两步中采用不同流量配比的氟基气体与氧原子的混合气体刻蚀；e、依次对刻蚀后的图形进行有机化学溶液、无机化学溶液、去离子水的清洗及甩干。本发明解决了聚酰亚胺刻蚀形貌、关键尺寸、牺牲层高度难以控制的问题，提高了该工艺的稳定性、重复性，保证了悬空或者活动单元结构的稳固性，降低大批量生产的成本提高良率等。 | ||
| 搜索关键词： | 刻蚀 微电机 系统 牺牲 方法 | ||
【主权项】：
一种干法刻蚀微电机系统牺牲层的方法，该方法包括以下步骤：a、提供CMOS集成电路的半导体衬底(1)，该半导体衬底表面具有CMOS集成电路引线端(10)；b、在所述半导体衬底(1)上涂覆牺牲层(2)；c、在所述牺牲层(2)上涂覆光刻胶(3)；d、分两步对涂覆光刻胶(3)的牺牲层(2)进行反应离子刻蚀，形成所需图形(4)，其中在所述两步中采用不同流量配比的氟基气体与氧原子的混合气体刻蚀；e、依次对刻蚀后的图形(4)进行有机化学溶液、无机化学溶液、去离子水的清洗及甩干。
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