[发明专利]一种超疏水平板膜的制备方法有效
申请号: | 201410450326.4 | 申请日: | 2014-09-05 |
公开(公告)号: | CN105381723B | 公开(公告)日: | 2017-11-07 |
发明(设计)人: | 魏昕;栾金义;杨永强;杨丽 | 申请(专利权)人: | 中国石油化工股份有限公司;中国石油化工股份有限公司北京化工研究院 |
主分类号: | B01D71/26 | 分类号: | B01D71/26;B01D69/06;B01D67/00 |
代理公司: | 北京卫平智业专利代理事务所(普通合伙)11392 | 代理人: | 符彦慈,董琪 |
地址: | 100728 北*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明涉及膜制备及膜表面改性技术领域,具体说是一种超疏水平板膜的制备方法。本发明所述的超疏水平板膜的制备方法包含如下步骤(1)膜片羟基化、(2)硅烷化反应、(3)热交联。本发明所述的超疏水平板膜的制备方法,具有以下优点制备工艺简便,易操作,成本低廉;制备的超疏水膜具有优异的耐化学试剂性能、较高的机械强度;超疏水膜表面可以通过调节反应体系的含水量,控制单体的聚合方向,得到微观结构可调的表面;并且形成统一的整体,能够有效避免在使用过程中的脱落。本发明由于具有以上优良的性能,能够在膜蒸馏、渗透汽化、膜吸收等水处理技术以及其他需要较高疏水性膜过程的石化、生物、医药、能源等领域获得良好的应用。 | ||
搜索关键词: | 一种 疏水 平板 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种超疏水平板膜的制备方法,其特征在于:以聚烯烃平板膜为基膜,首先将所述聚烯烃平板基膜进行膜片羟基化处理,然后利用硅烷单体在聚烯烃平板基膜的表面进行硅烷化反应,在聚烯烃平板基膜上构筑有机硅微米或纳米结构表面,通过调节硅烷化反应体系的含水量,控制硅烷单体在聚烯烃平板基膜的表面的聚合方向,得到超疏水平板膜;具体包含如下步骤:(1)膜片羟基化:以聚烯烃平板膜为基膜,将所述聚烯烃平板基膜干燥后在新制备的Piranha溶液中浸泡,浸泡温度为40‑90℃,进行羟基化反应,然后用去离子水冲洗干净干燥备用;(2)硅烷化反应:将羟基化后的膜片放入一定浓度的硅烷溶液后密封进行硅烷化反应,然后将膜片用以下清洗剂依次清洗:甲苯、乙醇、乙醇与水的混合溶液、水;(3)热交联:将硅烷化后的膜片在50‑200℃下,进行1‑24小时的热交联,得到具有超疏水结构的聚合物表面;执行步骤(1)至(3)至少1次后得到超疏水平板膜;步骤(2)中所述硅烷化反应,通过以下两种方式进行:将羟基化后的膜片放入无水甲苯或甲苯溶液中,然后加入硅烷单体,得到一定浓度的硅烷溶液后密封进行硅烷化反应;或将硅烷单体放入无水甲苯或甲苯溶液中得到一定浓度的硅烷溶液,再加入羟基化后的膜片后密封进行硅烷化反应;步骤(2)中所述的甲苯溶液为以水为溶质的饱和甲苯溶液,或为无水甲苯与以水为溶质的饱和甲苯溶液以体积比1:1混合配制的混合溶液。
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