[发明专利]一种晶体硅基太阳电池及其制备方法

摘要

本发明为一种晶体硅基的太阳电池结构及其制备方法。其结构从迎光面开始依次为金属栅线、透明导电薄膜、n型重掺杂非晶硅薄膜、n型晶体硅发射极层、p型晶体硅片、p型重掺杂背场及背面金属接触层。其中的n型非晶硅薄膜和n型晶体硅发射极层分别采用低温化学气相沉积和磷扩散的方法获得。本发明可在提高晶体硅基太阳电池的转换效率的同时降低其制造技术难度，降低生产成本。

主权项

一种晶体硅基太阳电池，其特征是结构为从迎光面开始依次为金属栅线、透明导电薄膜、n型重掺杂非晶硅薄膜、n型晶体硅发射极层、p型晶体硅片和p型重掺杂背场及背面金属接触层。