[发明专利]MEMS差压传感器芯片及制作方法

摘要

本发明公开了MEMS差压传感器芯片包括位于下部的衬底和位于上部的结构层，在衬底顶面设有导压通道，衬底底面设有热隔离空腔，在上部结构层底面设有敏感压力浅腔和基准压力浅腔，上部结构层顶面与敏感压力浅腔和基准压力浅腔之间分别为敏感压力膜和基准压力膜，导压通道连通敏感压力浅腔和基准压力浅腔，在基准压力膜上设置有贯穿基准压力膜的导压孔，在敏感压力膜顶部设有压敏电阻，压敏电阻与金属引线连接。本发明减小了传统差压传感器的封装尺寸，促进了差压传感器的应用。保证了测试结果的精确。减小了封装时热应力对传感器的影响。该发明制造工艺使得衬底与结构层之间连接具有较好的力学性能，制造工艺简单，一致性好。

主权项

MEMS差压传感器芯片，其特征在于，包括位于下部的衬底和位于上部的结构层，在所述衬底顶面设有导压通道，在所述上部结构层底面设有敏感压力浅腔和基准压力浅腔，所述上部结构层顶面与所述敏感压力浅腔和所述基准压力浅腔之间分别为敏感压力膜和基准压力膜，所述导压通道连通所述敏感压力浅腔和所述基准压力浅腔，在所述基准压力膜上设置有贯穿所述基准压力膜的导压孔，在所述敏感压力膜顶部设有压敏电阻，所述压敏电阻与金属引线连接；在所述衬底底面中部设有热隔离腔。