[发明专利]基于广义忆阻Colpitts振荡器的混沌信号发生器

摘要

本发明公开了一种基于广义忆阻Colpitts振荡器的混沌信号发生器，包括电容C1、电容C2、电容C3、电感L、电阻R1、电阻R2、双极性晶体管Q、基于忆阻二极管桥的广义忆阻器M。本发明基于广义忆阻Colpitts振荡器的混沌信号发生器通过将基于忆阻二极管桥的广义忆阻器电路引入到四阶Colpitts振荡器电路中，通过调节系统参数即可产生多种混沌现象，使其成为了一类新型的混沌信号发生器。其结构简单，稳定性强，具有显著的混沌特性，对于混沌系统的发展有推进作用。

主权项

基于广义忆阻Colpitts振荡器的混沌信号发生器，其特征在于：包括电容C1、电容C2、电容C3、电感L、电阻R1、电阻R2、双极性晶体管Q、基于忆阻二极管桥的广义忆阻器M；其中双极性三极管Q的基极端与发射极端分别与电容C1的正、负极端相连，分别记做a、b端；双极性三极管Q的集电极与电感L的一端相连，记做c端；电感L的另一端与电阻R1的一端相连，记做d端；电阻R1的另一端与电源VCC的正极端相连；电源VCC的负极端与a端相连；基于忆阻二极管桥的广义忆阻器M的正极端与电容C3的正极端相连，记做e端；电容C3的负极端与电容C2的正极端相连，记做f端；电容C2的负极端与b端相连；基于忆阻二极管桥的广义忆阻器M的负极端与电源VEE的负极端相连，记做g端；电源VEE的正极端与电阻R2的一端相连；电阻R2的另一端与b端相连；其中c、d端分别与f、e端相连；a、g端分别接地。