[发明专利]毫米波段用半导体封装件以及毫米波段用半导体装置在审

专利信息
申请号: 201410453175.8 申请日: 2014-09-05
公开(公告)号: CN104835807A 公开(公告)日: 2015-08-12
发明(设计)人: 高木一考 申请(专利权)人: 株式会社东芝
主分类号: H01L23/66 分类号: H01L23/66;H01P5/107;H01P3/00
代理公司: 北京鸿元知识产权代理有限公司 11327 代理人: 姜虎;陈英俊
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明涉及毫米波段用半导体封装件以及毫米波段用半导体装置。本发明的一个实施方式提供一种毫米波段用半导体封装件。一种毫米波段用半导体封装件,具有金属制的基体、电路基板、以及金属制的盖体。基体具有第一贯通孔以及第二贯通孔。电路基板配置在基体上,正面设置有输入用信号线路以及输出用信号线路。盖体配置在电路基板上,具有第一非贯通孔以及第二非贯通孔。该盖体以第一非贯通孔配置在基体的第一贯通孔的正上方、且第二非贯通孔配置在基体的第二贯通孔的正上方的方式配置在电路基板上。另外,第一非贯通孔以及第一贯通孔构成第一导波管,并且第二非贯通孔以及第二贯通孔构成第二导波管。
搜索关键词: 毫米 波段 半导体 封装 以及 装置
【主权项】:
一种毫米波段用半导体封装件,其特征在于,具备:金属制的基体,具有第一贯通孔以及第二贯通孔;电路基板,配置在该基体上,正面设置有输入用信号线路以及输出用信号线路;以及金属制的盖体,配置在该电路基板上,具有第一非贯通孔以及第二非贯通孔;其中,所述盖体以所述第一非贯通孔配置在所述基体的所述第一贯通孔的正上方、且所述第二非贯通孔配置在所述基体的所述第二贯通孔的正上方的方式配置在所述电路基板上;所述第一非贯通孔以及所述第一贯通孔构成第一导波管,而所述第二非贯通孔以及所述第二贯通孔构成第二导波管。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于株式会社东芝,未经株式会社东芝许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201410453175.8/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top