[发明专利]半导体设备的硅化有效
| 申请号： | 201410454065.3 | 申请日： | 2014-09-05 |
| 公开（公告）号： | CN104425232B | 公开（公告）日： | 2017-06-06 |
| 发明（设计）人： | R·博施克;S·弗莱克豪斯基;M·凯斯勒 | 申请（专利权）人： | 格罗方德半导体公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28 |
| 代理公司： | 北京戈程知识产权代理有限公司11314 | 代理人： | 程伟,王锦阳 |
| 地址： | 英属开曼群*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体设备的硅化，提供一种用于执行栅极电极的硅化的方法，其包括在同一个半导体基板上形成半导体设备以及具有被帽盖层覆盖的第一栅极电极的第一晶体管，形成有机平坦化层(OPL)于该第一晶体管及该半导体设备上，回蚀刻该OPL使得该OPL的上表面位准低于该帽盖层的上表面位准，形成覆盖该半导体设备而不覆盖该第一晶体管的掩模层，在该经回蚀刻的OPL及该掩模层存在时移除该帽盖层，以及执行该第一栅极电极的硅化。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体设备 | ||
【主权项】：
一种用于执行栅极电极的硅化的方法，包括：在同一个半导体基板上形成半导体设备以及具有被帽盖层覆盖的第一栅极电极的第一晶体管；形成有机平坦化层(OPL)于该第一晶体管及该半导体设备上；回蚀刻该有机平坦化层，使得该有机平坦化层的上表面位准低于该帽盖层的上表面位准；形成覆盖该半导体设备及暴露该第一晶体管的掩模层；在经回蚀刻的有机平坦化层及该掩模层存在时，移除该帽盖层；以及执行该第一栅极电极的硅化。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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