[发明专利]垂直集成系统有效
| 申请号： | 201410454357.7 | 申请日： | 2011-12-22 |
| 公开（公告）号： | CN104362142B | 公开（公告）日： | 2018-02-16 |
| 发明（设计）人： | A·奥都奈尔;S·艾瑞阿尔特;M·J·姆菲;C·莱登;G·卡塞;E·E·恩格利什 | 申请（专利权）人： | 美国亚德诺半导体公司 |
| 主分类号： | H01L25/16 | 分类号： | H01L25/16;H01L23/48;H01L31/0392;H01L31/0525;H01L51/42;H01L51/44;H01L23/64;B81B7/02 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所11038 | 代理人： | 陈华成 |
| 地址： | 美国马*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及垂直集成系统。本发明的实施方式提供了一种集成电路系统，包括第一层，包括半导体管芯的有源电路；在所述半导体管芯上的包括电路元件的第二层；将所述电路元件耦合到所述有源电路的电路径；以及与所述第一层和所述第二层垂直堆叠的第三层，所述第三层包括微机电系统(MEMS)部件，其中所述第三层与所述半导体管芯进行通信。 | ||
| 搜索关键词： | 垂直 集成 系统 | ||
【主权项】：
一种集成电路系统，包括：第一层，包括半导体管芯的有源电路；在所述半导体管芯的与所述有源电路相反的相反侧上的包括电路元件的第二层，所述电路元件包括至少一个分立的无源部件；将所述电路元件耦合到所述有源电路的电路径；与所述第一层和所述第二层垂直堆叠的第三层，所述第三层包括微机电系统MEMS部件，其中所述第三层与所述半导体管芯进行通信；以及位于所述半导体管芯的背侧上并且覆盖所述至少一个分立的无源部件的保护层，其中所述集成电路系统中的两层利用锁定特征部连接，其中所述第二层包括可修改链路，其配置为在所述第一层、第二层和第三层垂直堆叠之后调整所述集成电路系统的性能。
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