[发明专利]一种三氧化钼纳米薄片的制备方法在审

专利信息
申请号: 201410457699.4 申请日: 2014-09-09
公开(公告)号: CN105645470A 公开(公告)日: 2016-06-08
发明(设计)人: 王立敏;张永方;孙洪明;王澳轩;储德清;马忠超 申请(专利权)人: 天津工业大学
主分类号: C01G39/02 分类号: C01G39/02;B82Y40/00;B82Y30/00
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 300160*** 国省代码: 天津;12
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摘要: 发明公开一种由表面活性剂调节的纳米薄片状三氧化钼的制备方法,该方法通过以下步骤完成:以仲钼酸铵、表面活性剂、硝酸为原料,去离子水、乙醇、三乙胺为混合溶剂,磁力搅拌使其混合均匀,在超声波反应器中用37%的浓硝酸调节pH至2-3,60℃恒温反应30分钟,生成三氧化钼前驱体,然后在马弗炉中500℃焙烧5小时得到纳米薄片。本发明所使用的钼盐、表面活性剂、硝酸等廉价易得,成本较低,且对反应设备要求低,容易操作。同时本发明制得的纳米薄片三氧化钼具有较大的比表面积,具有优异的光催化性能。
搜索关键词: 一种 氧化钼 纳米 薄片 制备 方法
【主权项】:
一种三氧化钼纳米薄片的制备方法,其包括如下步骤:(1)称取一定量的仲钼酸铵及表面活性剂于烧杯中,加入一定量的溶剂;(2)将上述溶液在室温下充分磁力搅拌一定时间;(3)将烧杯移至超声波清洗器,恒温下缓慢加入37%的浓硝酸溶液,调至pH至2‑3;(4)继续超声30min后离心分离,用蒸馏水和乙醇各洗涤三次,置于60℃烘箱中干燥;(5)将干燥后的产物置于马弗炉中,500℃条件下焙烧5h。
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