[发明专利]衬底处理装置以及衬底的生产方法有效
申请号: | 201410459438.6 | 申请日: | 2014-09-10 |
公开(公告)号: | CN105321847B | 公开(公告)日: | 2018-10-26 |
发明(设计)人: | 田边光朗;柳泽爱彦;汤浅和宏;境正宪;坪田康寿 | 申请(专利权)人: | 株式会社日立国际电气 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/02 |
代理公司: | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人: | 杨宏军 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明涉及衬底处理装置以及衬底的生产方法,解决了如下问题:衬底载置部外周的热由构成气体分散通道的壁吸收,结果,难以使衬底面内的温度均匀。具有:腔室盖部,具有第一加热机构;衬底载置部,靠近该腔室盖部,并具有用于加热衬底的第二加热机构;处理容器,至少由所述腔室盖部和所述衬底载置部构成;控制部,在所述第二加热机构加热所述衬底载置部时,控制所述第一加热机构从而抑制来自所述第二加热机构的热能从所述衬底载置部向所述腔室盖部热传递。 | ||
搜索关键词: | 衬底 处理 装置 以及 生产 方法 | ||
【主权项】:
1.一种衬底处理装置,具有:腔室盖组件,具有第一加热机构和气体分散通道,所述气体分散通道构成为越接近衬底载置部直径越大,并且在气体分散通道的下部内,所述气体分散通道的一部分以远离中心轴的方式形成为锥形,所述第一加热机构至少设置在腔室盖组件的底壁部并且设置成与衬底的外周相对;衬底载置部,靠近该腔室盖组件地配置,并具有用于加热衬底的第二加热机构;处理容器,至少由所述腔室盖组件和所述衬底载置部构成;控制器,控制所述第一加热机构,以抑制来自所述第二加热机构的热能从所述衬底载置部向所述腔室盖组件热传递。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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