[发明专利]锗薄膜的减薄方法在审
| 申请号： | 201410459554.8 | 申请日： | 2014-09-10 |
| 公开（公告）号： | CN104269347A | 公开（公告）日： | 2015-01-07 |
| 发明（设计）人： | 孙川川;王敬;梁仁荣;许军 | 申请（专利权）人： | 清华大学 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201 | 代理人： | 张大威 |
| 地址： | 100084 北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种锗薄膜的减薄方法，包括以下步骤：提供表面为锗薄膜的晶片；将晶片浸于包括氧化剂的水溶液中以进行锗薄膜的减薄，其中氧化剂将锗转化为锗氧化物，锗氧化物溶解在水溶液中；对减薄后的晶片进行清洗。本发明实施例的锗薄膜的减薄方法具有成本低、操作简便的优点，此外，与现有化学机械抛光减薄相比，具有可以通过控制溶液的配比以及温度，使得腐蚀减薄速率可控、减薄后表面粗糙度小的优点。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜 方法 | ||
【主权项】：
一种锗薄膜的减薄方法，其特征在于，包括以下步骤：提供表面为锗薄膜的晶片；将所述晶片浸于包括氧化剂的水溶液中以进行锗薄膜的减薄，其中所述氧化剂将锗转化为锗氧化物，锗氧化物溶解在水溶液中；对减薄后的所述晶片进行清洗。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
