[发明专利]一种FinFET结构及其制造方法有效
| 申请号： | 201410459571.1 | 申请日： | 2014-09-10 |
| 公开（公告）号： | CN105405886B | 公开（公告）日： | 2018-09-07 |
| 发明（设计）人： | 尹海洲;刘云飞;李睿 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/10;H01L29/06;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京汉昊知识产权代理事务所(普通合伙) 11370 | 代理人： | 朱海波 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种FinFET结构及其制造方法，包括：衬底结构，所述沉底结构为SOI衬底；第一鳍片和第二鳍片，所述第一、第二鳍片位于所述衬底结构上方，彼此平行；栅极叠层，覆盖所述衬底结构和部分第一、第二鳍片的侧壁；源区，位于所述第一鳍片未被栅极叠层所覆盖的区域；漏区，位于所述第二鳍片未被栅极叠层所覆盖的区域；侧墙，位于所述第一、第二鳍片两侧，栅极叠层上方，用于隔离源区、漏区和栅极叠层；衬底结构沟道区，所述衬底结构沟道区位于所述衬底结构中靠近上表面的区域中。本发明在现有FinFET工艺的基础上提出了一种新的器件结构，使器件的栅长不受footprint尺寸限制，有效地解决了短沟道效应所带来的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 finfet 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种U型FinFET器件结构，包括：衬底结构，所述衬底结构为SOI衬底；第一鳍片(210)和第二鳍片(220)，所述第一鳍片(210)和第二鳍片(220)位于所述衬底结构上方，彼此平行；栅极叠层(300)，所述栅极叠层覆盖所述衬底结构和部分第一鳍片(210)和第二鳍片(220)的侧壁；源区(410)，所述源区位于所述第一鳍片(210)未被栅极叠层所覆盖的区域；漏区(420)，所述漏区位于所述第二鳍片(220)未被栅极叠层所覆盖的区域；侧墙(230)，所述侧墙(230)位于所述第一鳍片(210)和第二鳍片(220)两侧，栅极叠层(300)上方，用于隔离源区、漏区和栅极叠层。
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