[发明专利]一种FinFET结构及其制造方法有效
| 申请号： | 201410459614.6 | 申请日： | 2014-09-10 |
| 公开（公告）号： | CN105470301B | 公开（公告）日： | 2018-10-02 |
| 发明（设计）人： | 李睿;刘云飞;尹海洲 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京汉昊知识产权代理事务所(普通合伙) 11370 | 代理人： | 朱海波 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种FinFET结构及其制造方法，包括：衬底；第一鳍片，所述第一鳍片包括第一沟道区和位于第一沟道区上方的源区，其中所述源区比所述第一沟道区宽；第二鳍片，所述第二鳍片与第一鳍片平行，包括第二沟道区和位于第二沟道区上方的漏区，其中所述漏区比所述第二沟道区宽；栅极叠层，所述栅极叠层覆盖所述衬底和第一、第二沟道区的侧壁；隔离区，所述隔离区位于所述源区和漏区两侧，栅极叠层上方，用于隔离源区、漏区和栅极叠层。本发明在现有FinFET工艺的基础上提出了一种新的器件结构，使器件的栅长不受footprint尺寸限制，有效地解决了短沟道效应所带来的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 finfet 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种U型FinFET器件结构，包括：衬底(100)；第一鳍片，所述第一鳍片包括第一沟道区(210)和位于第一沟道区上方的源区(211)，其中所述源区比所述第一沟道区宽；第二鳍片，所述第二鳍片与第一鳍片平行，包括第二沟道区(220)和位于第二沟道区上方的漏区(221)，其中所述漏区比所述第二沟道区宽；栅极叠层(300)，所述栅极叠层覆盖所述衬底和第一、第二沟道区(210、220)的侧壁；隔离区(230)，所述隔离区(230)位于所述源区(211)和漏区(221)两侧，栅极叠层(300)上方，用于隔离源区、漏区和栅极叠层，所述源区(211)和漏区(221)为多边体结构。
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