[发明专利]流化床反应器内分段碳化硅衬的接合部设计有效
申请号: | 201410460564.3 | 申请日: | 2014-09-11 |
公开(公告)号: | CN105366680B | 公开(公告)日: | 2019-05-03 |
发明(设计)人: | 马修·J·米勒;迈克尔·V·斯潘格勒;格拉尔德·A·泽宁戈尔;威廉姆·J·昂斯托特;沃尔特·J·施图平 | 申请(专利权)人: | 陕西有色天宏瑞科硅材料有限责任公司 |
主分类号: | C01B33/027 | 分类号: | C01B33/027;C01B33/029;C01B33/03;C01B33/031 |
代理公司: | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人: | 刘慧;杨青 |
地址: | 719314*** | 国省代码: | 陕西;61 |
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摘要: | 本发明公开了分段碳化硅衬,特别是在用于生产多晶硅覆层的颗粒材料的流化床反应器中使用的分段碳化硅衬,以及制造和使用所述分段碳化硅衬的方法。还公开了用于联结碳化硅区段的无污染粘合材料。一个或多个所述碳化硅区段可以由反应粘合的碳化硅构造而成。 | ||
搜索关键词: | 流化床 反应器 分段 碳化硅 接合部 设计 | ||
【主权项】:
1.一种在用于生产多晶硅覆层的颗粒材料的流化床反应器中使用的分段碳化硅衬,其包含:第一碳化硅区段,其具有限定了向上开口的第一区段的凹陷或向上延伸的第一区段的突起的第一区段上缘表面;以及位于所述第一碳化硅区段上方并与其相接的第二碳化硅区段,所述第二碳化硅区段具有第二区段下缘表面,如果所述第一区段上缘表面限定了向上延伸的第一区段的突起,则所述第二区段下缘表面限定向下开口的第二区段的凹陷,或者如果所述第一区段上缘表面限定了向上开口的第一区段的凹陷,则所述第二区段下缘表面限定向下延伸的第二区段的突起,所述突起被接纳在所述凹陷内并具有比所述凹陷更小的尺寸,使得所述凹陷的表面与所述突起的表面相隔以及在所述突起与所述凹陷之间存在间隙;以及一定量的包含锂盐的粘合材料,所述粘合材料被配置在所述突起与所述凹陷之间的所述间隙内,所述粘合材料在固化后包含0.4‑0.7重量%的作为锂铝硅酸盐的锂和93‑97重量%的碳化硅粒子。
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