[发明专利]处理半导体锭料的处理装置、传递和处理半导体锭料的载体和方法在审
| 申请号： | 201410461110.8 | 申请日： | 2014-09-11 |
| 公开（公告）号： | CN105321859A | 公开（公告）日： | 2016-02-10 |
| 发明（设计）人： | R·施特劳伯 | 申请（专利权）人： | 应用材料瑞士有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L21/677 | 分类号： | H01L21/677;H01L21/673;H01L21/67 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 黄嵩泉 |
| 地址： | 瑞士*** | 国省代码： | 瑞士;CH |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种用于半导体锭料的载体，所述载体被配置以用于顶部装载和侧面装载半导体锭料。载体包括夹具，所述夹具附接至半导体锭料且可被放置在容器的顶部。侧面构件在用于侧面装载的开放位置和闭合位置之间可动。处理设备可在开放位置和闭合位置之间移动载体的侧面构件，且处理设备被配置以通过侧面装载和侧面卸载从载体装载和卸载半导体锭料。 | ||
| 搜索关键词： | 处理 半导体 装置 传递 载体 方法 | ||
【主权项】：
一种用于半导体锭料(110)的载体(100)，包含：容器(120)；其中所述容器(120)包括侧面构件(140)，所述侧面构件(140)可在用于侧面装载的开放位置和闭合位置之间移动。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于应用材料瑞士有限责任公司，未经应用材料瑞士有限责任公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201410461110.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：填沟介电层及其制作方法与应用
- 下一篇：用于半导体设备内的晶圆缓存装置
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
