[发明专利]用于形成用在流化床反应器中的碳化硅的高纯度硅

摘要

本发明涉及用于形成用在流化床反应器中的碳化硅的高纯度硅。本发明还公开了分段碳化硅衬，特别是在用于生产多晶硅覆层的颗粒材料的流化床反应器中使用的分段碳化硅衬，以及制造和使用所述分段碳化硅衬的方法。还公开了用于联结碳化硅区段的无污染粘合材料。一个或多个所述碳化硅区段可以由反应粘合的碳化硅构造而成。

主权项

一种在用于生产多晶硅覆层的颗粒材料的流化床反应器中使用的碳化硅衬，所述衬具有至少部分限定了反应仓室的朝内表面，所述衬的至少一部分包含反应粘合的碳化硅，所述碳化硅具有的在所述衬的至少一部分朝内表面上的表面污染水平为：低于3原子％的掺杂物；和低于5原子％的外来金属。