[发明专利]具有温度稳定特性的SCR部件有效
| 申请号： | 201410464352.2 | 申请日： | 2014-09-12 |
| 公开（公告）号： | CN104518018B | 公开（公告）日： | 2018-11-09 |
| 发明（设计）人： | S·梅纳德 | 申请（专利权）人： | 意法半导体(图尔)公司 |
| 主分类号： | H01L29/74 | 分类号： | H01L29/74;H01L29/06;H01L29/41;H01L21/332 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 王茂华;张宁 |
| 地址： | 法国*** | 国省代码： | 法国;FR |
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| 摘要： | 本公开涉及一种具有温度稳定特性的SCR部件。垂直结构的SCR型部件具有形成在第一导电类型的硅区域上、自身形成在第二导电类型的硅层中的主上部电极，其中所述区域中断在其中硅层的材料与上部电极接触的第一部位中，以及在采用延伸在硅层和电极之间的电阻性多孔硅填充的第二部位中。 | ||
| 搜索关键词： | 硅层 上部电极 温度稳定 第一导电类型 垂直结构 导电类型 电极 电阻性 多孔硅 硅区域 填充 中断 延伸 | ||
【主权项】：
1.一种垂直结构的可控硅SCR型部件，包括：第一导电类型的硅区域，在第二导电类型的硅层中形成；主上部电极，在所述第一导电类型的硅区域上形成；其中所述第一导电类型的所述硅区域被如下项中断：由第二导电类型的所述硅层的材料形成的第一部位，所述第一部位与所述主上部电极接触，以及由电阻性多孔硅形成的第二部位，所述第二部位也与所述主上部电极接触并且在所述硅层和所述主上部电极之间延伸，所述第二部位的厚度大于所述第一导电类型的所述硅层的厚度。
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