[发明专利]半导体装置在审
| 申请号： | 201410464691.0 | 申请日： | 2014-09-12 |
| 公开（公告）号： | CN104465683A | 公开（公告）日： | 2015-03-25 |
| 发明（设计）人： | 樱野胜之;渡边博文;根来宝昭;爱须克彦;米田和洋 | 申请（专利权）人： | 株式会社理光 |
| 主分类号： | H01L27/146 | 分类号： | H01L27/146 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 张祥 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明涉及具备在半导体基板上排列光电转换元件形成的图像传感器的半导体装置，其目的在于，防止半导体装置中相邻光电转换元件之间发生光电荷混同，实现结构细微化。在本发明的半导体装置中，半导体基板(101)上排列包含PN光电转换元件(119)以及三极管(121)在内的像素(103)，形成图像传感器，其中，相邻PN光电转换元件(119)周围的半导体基板(101)上形成沟槽(123)，在接触该沟槽(123)底部的半导体基板(101)上形成杂质扩散层(129)。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【主权项】：
一种半导体装置，其中具备在半导体基板上排列光电转换元件构成的图像传感器，其特征在于，具备在所述半导体基板上相邻所述光电转换元件之间的位置上形成的沟槽、以及设于该沟槽底部的杂质扩散层，所述杂质扩散层被设置在比所述光电转换元件中的PN结更深的位置。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
