[发明专利]分栅快闪存储器浮栅尖端的制造方法

摘要

本发明提出了一种分栅快闪存储器浮栅尖端的制造方法，该方法通过在去除浮栅氮化硅层之后，采用氧化处理在浮栅层的表面形成一层保护氧化层，由于氧化处理形成的氧化层厚度可控，并且能够将浮栅层与空气隔离开，避免后续由于空气氧化而形成厚度不可控的氧化层，同时，在后续的浮栅刻蚀工艺中利用去氧化层工艺可以完全去除这一均匀且稳定的保护氧化层，使浮栅层能够被很好的刻蚀，形成良好的浮栅尖端，从而保证制备的闪存的良率合格，性能良好。

主权项

一种分栅快闪存储器浮栅尖端的制造方法，其特征在于，包括步骤：提供基片，所述基片上依次形成有耦合氧化层、浮栅层及浮栅氮化硅层，所述浮栅层设有沟槽，所述沟槽两内侧形成有侧墙，所述侧墙之间形成有与所述基片相连的源线；刻蚀去除所述浮栅氮化硅层，暴露出所述浮栅层；采用清洗工艺对所述浮栅层进行清洗处理；对所述浮栅层的表面进行氧化处理，形成保护氧化层；采用浮栅刻蚀工艺对所述浮栅层进行刻蚀形成浮栅尖端，所述浮栅刻蚀工艺包括去氧化层工艺，所述去氧化层工艺的反应时间与所述保护氧化层的厚度相对应以确保将所述保护氧化层蚀刻完全。