[发明专利]一种高保真音频前置功率放大器在审
| 申请号： | 201410465605.8 | 申请日： | 2014-09-12 |
| 公开（公告）号： | CN105471399A | 公开（公告）日： | 2016-04-06 |
| 发明（设计）人： | 严国辉 | 申请（专利权）人： | 严国辉 |
| 主分类号： | H03F3/20 | 分类号： | H03F3/20;H03F1/34;H03F1/32;H03F1/26 |
| 代理公司： | 广州三环专利代理有限公司 44202 | 代理人： | 温旭 |
| 地址： | 516255 广东省*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明涉及功率放大器电路技术领域，特别涉及一种音频前置功率放大器。其包括依次连接的第一共源共栅放大器、第一PMOSFET管、第一源极跟随器、第二共源共栅放大器、第二PMOSFET管、第二源极跟随器、第三共源共栅放大器、第三源极跟随器；其中，第一共源共栅放大器连接信号输入端，对输入的信号进行第一级放大；第一PMOSFET管、第二共源共栅放大器、第二PMOSFET管、第三共源共栅放大器共对信号五级放大，且各级放大电路之间有源极跟随器对电路隔离和增加带负载能力。本发明提供了一种高保真音频前置功率放大器，具有高保真和动态范围大的优点。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 高保真 音频 前置 功率放大器 | ||
【主权项】：
一种高保真音频前置功率放大器，其特征在于：其包括依次连接的第一共源共栅放大器、第一PMOS FET管、第一源极跟随器、第二共源共栅放大器、第二PMOS FET管、第二源极跟随器、第三共源共栅放大器、第三源极跟随器；其中，第一共源共栅放大器连接信号输入端，对输入的信号进行第一级放大；第一PMOS FET管，其栅极连接第一共源共栅放大器的信号输出端，对输入信号进行第二级放大；第一源极跟随器，连接第一PMOS FET管的漏极，隔离第一PMOS FET管和第二共源共栅放大器；第二共源共栅放大器，连接第一源极跟随器的信号输出端，对输入信号进行第三级放大；第二PMOS FET管，其栅极连接第二共源共栅放大器的信号输出端，对输入信号进行第四级放大；第二源极跟随器，连接第二PMOS FET管的漏极，用于隔离第二PMOS FET管和第三共源共栅放大器；第三共源共栅放大器，连接第二源极跟随器的信号输出端，对输入信号进行第五级放大；第三源极跟随器，为所述前置功率放大器的信号输出端。
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