[发明专利]射频横向双扩散场效应晶体管及其制作方法

摘要

本发明公开了一种射频横向双扩散场效应晶体管，具有阶梯型多晶硅栅与阶梯型法拉第屏蔽层，既保持有较小的输入电容，又减小了输出电容，降低了栅边缘下方电场强度。本发明还公开了一种射频横向双扩散场效应晶体管的制作方法，在阶梯型多晶硅栅的制作过程中，不添加任何步骤，只是在一次刻蚀中使第一层氧化层从源端到漏端为薄厚薄的结构，从而能够帮助后续形成的法拉第屏蔽层为靠近多晶硅栅为厚氧化层，靠近漏端为薄氧化层的阶梯型，阶梯型法拉第屏蔽层的制作不需要引入任何其他工艺，只需在形成阶梯型栅氧的情况下一起形成，工艺简单。

主权项

一种射频横向双扩散场效应晶体管的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：一.在P型衬底上生长P型外延层，P型外延层的掺杂浓度比P型衬底低；二.在P型外延层上面热氧化生长第一氧化层；三.保留P型外延层中部的第一氧化层，将P型外延层上的其它第一氧化层全部刻蚀掉；四.在P型外延层上面再热氧生长第二氧化层，第二氧化层较第一氧化层薄，从而从左到右，P型外延层上面的氧化层的结构为薄厚薄的结构；五.在氧化层上淀积多晶硅，光刻刻蚀出多晶硅栅，多晶硅栅的左部覆盖于P型外延层左部上面的薄氧化层的右端，多晶硅栅的右部覆盖于P型外延层中部上面的厚氧化层的左端，从而形成左低右高的阶梯型多晶硅栅；六.保留多晶硅栅上面的光刻胶，通过自对准注入分别在多晶硅栅左侧及右侧的P型外延层中形成N型掺杂区，多晶硅栅右侧的P型外延层中的N型掺杂区作为N型漂移区；七.通过模板定义P阱区域，在多晶硅栅左侧的P型外延层中进行P型离子注入，然后高温推进形成P阱；八.通过光刻版定义出源端重N型区域、漏端重N型区域和衬底端重P型区域，在源端重N型区域、漏端重N型区域注入N型杂质；在衬底端重P型区域注入P型杂质；九.在硅片上淀积第三氧化层，从而多晶硅栅右侧的氧化层从左到右为从高到低的三个高度；十.在第三氧化层上淀积一金属层，通过模板定义，刻蚀形成左高右低的阶梯型法拉第屏蔽金属层，阶梯型法拉第屏蔽金属层的左部在阶梯型多晶硅栅右侧的最高的氧化层上方，阶梯型法拉第屏蔽金属层的中部在阶梯型多晶硅栅右侧的中间高度的氧化层上方，阶梯型法拉第屏蔽金属层的左部在阶梯型多晶硅栅右侧的最低的氧化层上方；十一.通过模板，在衬底端重P型区域定义出多晶硅塞或者金属塞的位置和大小，刻蚀至P型衬底，淀积多晶硅或者金属，形成多晶硅或者金属塞。