[发明专利]倒装LED芯片及其制备方法

摘要

本发明提出了一种倒装LED芯片及其制备方法，提出的倒装LED芯片的制备方法具有免打线、散热性能好、电压低、亮度高、易封装等优势；相比较于其他倒装芯片，无需制备反射层、阻挡层、N链接层，使用设有图案的隔离层兼做反射层的作用，不需要制作面积大、厚度厚的PN焊接盘，制备方法简单，成本低。

主权项

一种倒装LED芯片的制备方法，其特征在于，包括步骤：提供衬底，在所述衬底上依次形成N型GaN、量子阱层及P型GaN；依次刻蚀所述P型GaN和量子阱层，形成电极平台，所述电极平台暴露出所述N型GaN；在所述P型GaN上形成透明导电层；在所述透明导电层的表面形成设有图案的隔离层，所述隔离层的图案暴露出部分所述透明导电层，所述隔离层覆盖所述电极平台处的透明导电层、P型GaN和量子阱层的侧壁；在所述图案的隔离层上形成P电极，所述P电极通过图案与所述透明导电层相连，在所述N型GaN及部分隔离层的表面形成N电极。