[发明专利]氮化物系发光二极管在审
| 申请号： | 201410468507.X | 申请日： | 2014-09-16 |
| 公开（公告）号： | CN104300051A | 公开（公告）日： | 2015-01-21 |
| 发明（设计）人： | 董木森;申利莹;王笃祥;王良均 | 申请（专利权）人： | 天津三安光电有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/06 | 分类号： | H01L33/06;H01L33/14;H01L33/32 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 300384 天津市*** | 国省代码： | 天津;12 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种氮化物系发光二极管，依次包括：衬底、缓冲层、N型氮化物层、(InxGa1-xN/GaN)nMQW发光层和P型氮化物层，所述MQW结构InxGa1-xN阱层中插入至少一渐变InN层。本发明所述阱层中渐变InN层的插入，可以有效弱化量子阱极化场，使得量子阱的能带由倾斜变得平缓，从而增强载流子在阱层中的注入和扩散，进而增加电子和空穴复合几率，增加内量子效率，最终，提高发光二极管的发光效率并降低efficiencydroop效应，并且不会影响LED光谱半高宽、波长控制和波长稳定性。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化物 发光二极管 | ||
【主权项】：
一种氮化物系发光二极管，依次包括：衬底、缓冲层、N型氮化物层、发光层和P型氮化物层，其特征在于：所述发光层为由InxGa1‑xN/GaN构成的多量子阱结构（MQW），其中至少部分InxGa1‑xN阱层中插入至少一渐变InN层。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于天津三安光电有限公司，未经天津三安光电有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201410468507.X/，转载请声明来源钻瓜专利网。
