[发明专利]射频横向双扩散场效应晶体管制作方法

摘要

本发明公开了一种射频横向双扩散场效应晶体管，漂移区为非均匀掺杂结构。本发明还公开了该种射频横向双扩散场效应晶体管的制作方法，漂移区采用三次N型离子注入形成非均匀的N型结构，第一次N型离子注入是一次低剂量中等能量的自对准垂直注入，第二次N型离子注入是一次低剂量低能量的自对准斜角注入，然后再通过模板定义，在离开多晶硅栅一段距离的漂移区中的位置进行第三次N型离子注入。本发明的射频横向双扩散场效应晶体管及其制作方法，在厚法拉第屏蔽氧化层的条件下，减小了输出电容，增强了热载流子注入能力和鲁棒性，制造工艺简单。

主权项

一种射频横向双扩散场效应晶体管的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：一.在P型衬底上生长P型外延层，P型外延层的掺杂浓度比P型衬底低；二.在P型外延层上面热氧化生长一氧化层，然后淀积一层多晶硅，在硅片中部光刻刻蚀出多晶硅栅；三.保留多晶硅栅上面的光刻胶，进行第一次N型离子注入，第一次N型离子注入是自对准垂直注入；四.保留多晶硅栅上面的光刻胶，进行第二次N型离子注入，第二次N型离子注入是自对准斜角注入，第二次N型离子注入深度比第一次N型离子注入深度浅；五.通过光刻板定义第三次N型离子注入区域，第三次N型离子注入区域，为离开多晶硅栅右侧一定距离的P型外延层；在第三次N型离子注入区域注入N型离子，第三次N型离子注入深度大于等于第一次及第二次N型离子注入深度，剂量小于等于第一次及第二次N型离子注入的总剂量；六.通过模板定义P阱区域，在多晶硅栅左侧的P型外延层中进行P型离子注入，然后高温推进形成P阱；七.通过光刻版，在多晶硅栅左侧P阱上定义出源端N+区域，在第三次N型离子注入区域右端定义出漏端N+区域，在源端N+区域左侧P阱上定义出衬底端P+区域，在源端N+区域、漏端N+区域注入N型杂质；在衬底端P+区域注入P型杂质；八.去除光刻胶，在硅片上淀积一层介质层；九.在介质层上淀积一金属层，通过模板定义，刻蚀形成法拉第屏蔽层，法拉第屏蔽层的下部为法拉第屏蔽介质层，上部为法拉第屏蔽金属层，法拉第屏蔽层的左部在多晶硅栅右部的上方，法拉第屏蔽金属层的右端在第三次N型离子注入区域左部上方；法拉第屏蔽层的左部高于右部；十.通过模板，在衬底端P+区域定义出多晶硅塞或者金属塞的位置和大小，刻蚀至P型衬底，淀积多晶硅或者金属，形成多晶硅或者金属塞。