[发明专利]定向磊晶的异质接面双极性晶体管结构

摘要

一种定向磊晶的异质接面双极性晶体管结构，是直接或间接成长在(100)朝向(111)B面倾斜的砷化镓基板上，包含在基板上由下而上依序堆栈的次集极层、集极层、基极层、射极层，射极盖层及欧姆接触层，其中射极层为N型能隙大于基极层的III‑V族半导体。此外，还可进一步包含夹在集极层及基极层之间的穿隧集极层，是由磷化铟镓(InGaP)或砷磷化铟镓(InGaAsP)形成。本发明是在(100)朝向(111)B面倾斜的砷化镓基板上成长，倾斜的角度为0.6°～25°，皆能在一般制程范围内轻易达成，使铟与镓在<111>方向上达到很有序的排列，缩小基极‑射极接面与基极‑穿隧集极接面导电带的不连续，增进整体电气特性。

主权项

1.一种定向磊晶的异质接面双极性晶体管结构，其特征在于，包括：一次集极层，是由N型III-V族半导体形成，并堆栈在一基板上，其中该基板为砷化镓，且是由(100)朝向(111)B面方向倾斜，而倾斜的角度为0.6°～25°；一集极层，是堆栈在该次集极层上，并由N型III-V族半导体形成；一基极层，是堆栈在该集极层上，并由P型III-V族半导体形成；一射极层，是堆栈在该基极层上，并由N型InGaP或InGaAsP形成；一射极盖层，是堆栈在该射极层上，并由N型III-V族半导体形成；以及一欧姆接触层，是堆栈在该射极盖层上，并由N型III-V族半导体形成，其中，通过该基板是由(100)朝向(111)B面方向倾斜，而倾斜的角度为0.6°～25°的方式，使该射极层的能隙缩小。