[发明专利]氨气传感器有效

专利信息
申请号: 201410470291.0 申请日: 2014-09-15
公开(公告)号: CN104267139A 公开(公告)日: 2015-01-07
发明(设计)人: 汤忠华;潘登;刘屿;滕卫星;陈烈 申请(专利权)人: 金坛鸿鑫电子科技有限公司
主分类号: G01N31/12 分类号: G01N31/12
代理公司: 常州市英诺创信专利代理事务所(普通合伙) 32258 代理人: 王美华
地址: 213215 江苏*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 发明涉及一种氨气传感器,包括上层基片、中层基片和下层基片,上层基片与中层基片之间具有一定空间,空间内形成有相邻的进气区和反应区,进气区和反应区相隔离;上层基片上开设有第一进气口和第二进气口,第一进气口与进气区连通,第二进气口与反应区连通;上层基片上从靠近第二进气口的位置开始依次设有多个第二加热体;中层基片上设有氧泵、第一氧传感器和第二氧传感器,第一氧传感器位于进气区的靠近第一进气口的位置,第二氧传感器位于反应区的远离第二进气口的一端,氧泵位于靠近第二进气口的位置。本发明的氨气传感器,可以精确地得出检测气体中的氨气含量。
搜索关键词: 氨气 传感器
【主权项】:
一种氨气传感器,其特征在于:包括上层基片(10)、中层基片(20)和下层基片(30),所述上层基片(10)与中层基片(20)之间具有一定空间,所述空间内形成有相邻的进气区(40)和反应区(50),所述进气区(40)和反应区(50)相隔离;所述上层基片(10)上开设有第一进气口(11)和第二进气口(12),第一进气口(11)与进气区(40)连通,第二进气口(12)与反应区(50)连通;所述上层基片(10)上从靠近第二进气口(12)的位置开始依次设有多个第二加热体(13);所述中层基片(20)上设有氧泵(21)、第一氧传感器(22)和第二氧传感器(23),所述第一氧传感器(22)位于进气区(40)的靠近第一进气口(11)的位置,所述第二氧传感器(23)位于反应区(50)的远离第二进气口(12)的一端,所述氧泵(21)位于靠近第二进气口(12)的位置。
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