[发明专利]一种芯壳型纳米线三维NAND闪存器件及其制备方法

摘要

本发明公开了一种非易失性高密度三维半导体存储器件，该存储器件由芯壳型纳米线作为NAND串组成，所述NAND串垂直于衬底。利用芯壳型纳米线作为NAND串制作存储器件，不仅使器件的结构更加简单，也减少了原有器件制作过程中复杂的制造工艺步骤，简化了制备过程，对降低制造成本有积极作用。

主权项

一种制备芯壳型纳米线三维NAND闪存器件的方法，其特征在于，包括以下步骤：(1)在半导体衬底上沉积一层共源平面；接着，在所述共源平面上通过溅射镀膜沉积一层铝；然后，通过阳极氧化法在所述铝层上制备多孔氧化铝模板；并使所述多孔氧化铝模板内的通孔直接与共源平面连通；(2)在所述多孔氧化铝模板的通孔内沉积纳米线，然后在纳米线上方通过溅射镀膜沉积漏极电极；(3)除掉所述多孔氧化铝模板；接着沉积芯壳型纳米线；然后再沉积字线电极、位线；在此过程中，步骤(2)中所述沉积的纳米线为半导体沟道，步骤(3)中所述的沉积芯壳型纳米线是在所述纳米线表面依次形成沟道绝缘层、电荷存储层和栅极绝缘层。