[发明专利]一种具有上电清零功能的电平转换器

摘要

一种具有上电清零功能的电平转换器，包括第一P型MOSFET、第二P型MOSFET、第三P型MOSFET、第四P型MOSFET、第五P型MOSFET、第一N型MOSFET、第二N型MOSFET、第三N型MOSFET、第四N型MOSFET和第五N型MOSFET，以及上述各MOSFET之间的互联线。本发明为采用多电源域的现代集成电路(Integrated Circuits，简称IC)芯片设计人员提供一种硬件规模更小的具有上电清零功能的电平转换器单元电路，从而起到减小整体芯片面积、降低芯片成本的作用。

主权项

一种具有上电清零功能的电平转换器，其特征在于，包括第一P型金属氧化物半导体场效应晶体管(202)、第二P型金属氧化物半导体场效应晶体管(203)、第三P型金属氧化物半导体场效应晶体管(204)、第四P型金属氧化物半导体场效应晶体管(205)、第五P型金属氧化物半导体场效应晶体管(210)、第一N型金属氧化物半导体场效应晶体管(206)、第二N型金属氧化物半导体场效应晶体管(207)、第三N型金属氧化物半导体场效应晶体管(208)、第四N型金属氧化物半导体场效应晶体管(209)和第五N型金属氧化物半导体场效应晶体管(211)；上述各元件的连接关系如下：所述的第一P型金属氧化物半导体场效应晶体管(202)的源极与第一电源(Vdd2)连接、漏极与所述的第三P型金属氧化物半导体场效应晶体管(204)的源极连接；所述的第二P型金属氧化物半导体场效应晶体管(203)的源极与第二电源(Vdd2')连接、漏极与所述的第四P型金属氧化物半导体场效应晶体管(205)的源极连接；所述的第三P型金属氧化物半导体场效应晶体管(204)的漏极与所述的第二P型金属氧化物半导体场效应晶体管(203)的栅极和第一N型金属氧化物半导体场效应晶体管(206)的漏极连接；所述的第四P型金属氧化物半导体场效应晶体管(205)的漏极、第一P型金属氧化物半导体场效应晶体管(202)的栅极、第二N型金属氧化物半导体场效应晶体管(207)的漏极和第四N型金属氧化物半导体场效应晶体管(209)的漏极构成电路的公共输出节点(Dout)；所述的第一N型金属氧化物半导体场效应晶体管(206)的源极与第三N型金属氧化物半导体场效应晶体管(208)的漏极连接；所述的第二N型金属氧化物半导体场效应晶体管(207)的源极、第三N型金属氧化物半导体场效应晶体管(208)的源极、第四N型金属氧化物半导体场效应晶体管(209)的源极、第五N型金属氧化物半导体场效应晶体管(211)的源极分别接地；所述的第五P型金属氧化物半导体场效应晶体管(210)的源极与第三电源(Vdd1)连接，漏极与所述的第五N型金属氧化物半导体场效应晶体管(211)的漏极、第四P型金属氧化物半导体场效应晶体管(205)的栅极、第二N型金属氧化物半导体场效应晶体管(207)的栅极构成公共节点；所述的第三P型金属氧化物半导体场效应晶体管(204)的栅极、第一N型金属氧化物半导体场效应晶体管(206)的栅极、第五P型金属氧化物半导体场效应晶体管(210)的栅极和第五N型金属氧化物半导体场效应晶体管(211)的栅极构成公共节点与第一输入信号(Din)连接；所述的第三N型金属氧化物半导体场效应晶体管(208)的栅极与第二输入信号(Por)连接，所述的第四N型金属氧化物半导体场效应晶体管(209)的栅极与第三输入信号(Por_n)连接。