[发明专利]一种反应腔室有效
申请号: | 201410471424.6 | 申请日: | 2014-09-16 |
公开(公告)号: | CN105405788B | 公开(公告)日: | 2021-09-17 |
发明(设计)人: | 刘红义 | 申请(专利权)人: | 北京北方华创微电子装备有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
代理公司: | 北京荟英捷创知识产权代理事务所(普通合伙) 11726 | 代理人: | 左文;段志慧 |
地址: | 100176 北京*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明提供了一种反应腔室,该反应腔室包括工艺腔、检测腔和传输装置,其中,工艺腔用于对基片进行薄膜沉积工艺;检测腔用于检测沉积在基片上的薄膜厚度;在工艺腔与检测腔之间具有使二者相连通、且供基片通过的传片口,传输装置用于通过传片口在工艺腔和检测腔之间传输基片。本发明提供的反应腔室,可以在完成工艺配方之后检测基片沉积的实际薄膜沉积厚度并调整工艺配方来使其沉积至目标厚度,从而可以提高良品率;而且不需要采用现有技术中周期性地基于测试片调整工艺配方的方式,因而不仅可以提高生产率,而且还可以不需要耗费测试片,从而可以提高经济效益。 | ||
搜索关键词: | 一种 反应 | ||
【主权项】:
一种反应腔室,其特征在于,包括工艺腔、检测腔和传输装置,其中,所述工艺腔用于对基片进行薄膜沉积工艺;所述检测腔用于检测沉积在基片上的薄膜厚度;在所述工艺腔与检测腔之间具有使二者相连通、且供基片通过的传片口,所述传输装置用于通过所述传片口在所述工艺腔和所述检测腔之间传输基片。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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