[发明专利]光半导体装置及其制造方法有效

专利信息
申请号: 201410471503.7 申请日: 2014-09-16
公开(公告)号: CN104465972B 公开(公告)日: 2018-09-25
发明(设计)人: 藤田宏之;奥定夫;塚越功二;林惠一郎 申请(专利权)人: 艾普凌科有限公司
主分类号: H01L33/62 分类号: H01L33/62;H01L33/56;H01L33/00
代理公司: 北京三友知识产权代理有限公司 11127 代理人: 李辉;黄纶伟
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 发明提供光半导体装置及其制造方法,课题在于提供耐湿性良好的红外线截止型光半导体装置及其制造方法。使具有红外截止滤光特性的、掺加有铜离子的磷酸盐系玻璃形成为粒子状并与透明密封树脂混合,用该透明密封树脂密封半导体元件。通过将玻璃粒子的粒子直径设为欲进行截止的红外线波长的4倍以上,由此能够得到即使入射光角度变化滤光特性也不变的、耐湿性也优异的光半导体装置。
搜索关键词: 半导体 装置 及其 制造 方法
【主权项】:
1.一种红外线截止型光半导体装置,其特征在于,该光半导体装置由以下部分构成:树脂模塑引线框基板,该树脂模塑引线框基板具有中空部;光半导体元件,该光半导体元件被安装在所述树脂模塑引线框基板上的安装面上;以及透明密封树脂,该透明密封树脂被填充到所述中空部的内部,覆盖所述光半导体元件的上表面和侧面,在该透明密封树脂中混合有含有铜离子的粒子状的磷酸盐系玻璃,所述含有铜离子的粒子状的磷酸盐系玻璃在以体积率表示时在25%至40%的范围内包含所述粒子直径大于等于2.8μm且小于6.0μm的粒子,并且,在以体积率表示时在15%至30%的范围内包含所述粒子直径大于等于6.0μm的粒子。
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