[发明专利]一种提高晶体硅太阳能电池扩散均匀性的方法

摘要

本发明专利公开了一种提高晶体硅太阳能电池扩散均匀性的方法，通过光化臭氧发生装置在制绒后的硅片制绒面生长厚度为1‑20nm的二氧化硅。该二氧化硅较仅采用扩散工艺中前氧化步骤形成的二氧化硅膜厚度，均匀性及致密性好，在后续的扩散过程中，磷元素在二氧化硅中扩散速度低于在硅中的速度，该氧化膜对反应起到缓冲左右，更有利于磷元素均匀扩散进硅片内部，从而使电池片制备中的磷扩散均匀性得到提高，一定程度上提升了太阳能电池的转换效率。

主权项

一种提高晶体硅太阳能电池扩散均匀性的方法，其特征为：制绒后，在硅片制绒面上制备一层二氧化硅；其中二氧化硅使用光化臭氧发生器制备而成；包括以下步骤：1）将硅片进行常规制绒；2）将制绒后的硅片置于光化臭氧产生器产生的臭氧氛围中，使硅片的制绒面在臭氧中氧化，得到1‑20nm的二氧化硅；3）把在臭氧中氧化后的硅片进行扩散工艺，再进行常规镀膜、正反面电极印刷、烧结；光化臭氧产生器的氧气流量为2‑40L/min，吹扫时间为0.2‑60min；扩散工艺共包括以下步骤，扩散设备采用荷兰TEMPRESS扩散炉：1、准备阶段：大N2流量5slm，压力5pa；2、进舟阶段：大N2 流量5slm，O2 流量0sccm，小N2 流量0sccm，压力5Pa；3、出舟阶段：大N2 流量5slm 2slm，O2 流量0sccm，小N2 流量0sccm，压力‑30pa，时间8min；4、检漏阶段：炉内通入氮气8.5slm，大N2 流量5slm 2slm，O2 流量0sccm，小N2 流量0sccm，压力‑200pa，时间2min；5、加热阶段：大N2 流量12slm，O2 流量0sccm，小N2 流量0sccm，压力10pa，时间15min；6、扩散阶段：大N2 流量12slm，O2 流量350sccm，小N2 流量1000sccm，压力10pa，时间15min，温度800℃ ‑850℃ ；7、后氧化阶段：大N2 流量12slm，O2 流量500sccm，小N2 流量50sccm，压力10pa，时间6min；8、推进阶段：大N2 流量12slm，O2 流量4500sccm，小N2 流量50sccm，压力10Pa，时间6min；9、扩散阶段：大N2 流量12slm，O2 流量350sccm，小N2 流量1000sccm，压力10pa，时间2min，温度800℃ ‑850℃ ；10、推进阶段：大N2 流量12slm，O2 流量500sccm，小N2 流量50sccm，压力10pa，时间7min；11、冷却阶段：大N2 流量12slm，O2 流量0sccm，小N2 流量0sccm，压力15Pa，时间15min；12、进桨阶段：大N2 流量10slm，O2 流量0sccm，小N2 流量0sccm，压力‑30Pa，时间10min；13、退出阶段：大N2 流量12slm，O2 流量0sccm，小N2 流量0sccm，压力5Pa，时间8min。