[发明专利]用于相变存储器的Zn-Sb-Se相变存储薄膜材料有效
| 申请号： | 201410473416.5 | 申请日： | 2014-09-17 |
| 公开（公告）号： | CN104328326B | 公开（公告）日： | 2016-11-30 |
| 发明（设计）人： | 王国祥;沈祥;徐培鹏;吕业刚;陈益敏;田曼曼;李军建;戴世勋;聂秋华;徐铁峰 | 申请（专利权）人： | 宁波大学 |
| 主分类号： | C22C30/06 | 分类号： | C22C30/06;C23C14/35;C23C14/14;H01L45/00 |
| 代理公司： | 宁波奥圣专利代理事务所(普通合伙) 33226 | 代理人： | 蔡菡华 |
| 地址： | 315211 浙*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了用于相变存储器的Zn‑Sb‑Se相变存储薄膜材料，特点是相变存储薄膜材料为富Sb的Zn‑Sb‑Se化合物，其化学结构式为ZnxSbySez，其中：0<x<35，45<y<55，20<z<55，x+y+z=100；优点是该薄膜材料具有纳秒量级高速相变，具有较强高温热稳定性和晶态电阻，较大非晶态与晶态之间明显的电阻差异和较好的可逆循环相变能力；该薄膜材料的结晶温度（Tc）为216‑250℃，结晶活化能(Ea)为5.05‑8.57eV，数据保存10年的最高温度为152.6‑200.2℃。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 相变 存储器 zn sb se 存储 薄膜 材料 | ||
【主权项】：
用于相变存储器的Zn‑Sb‑Se相变存储薄膜材料，其特征在于所述的相变存储薄膜材料为富Sb的Zn‑Sb‑Se化合物，其化学结构式为Zn19.0Sb45.7Se35.3，且上述式中含量为原子百分比。
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