[发明专利]存储芯片和制造存储芯片的布局设计有效
| 申请号： | 201410474469.9 | 申请日： | 2014-09-17 |
| 公开（公告）号： | CN105321555B | 公开（公告）日： | 2018-07-10 |
| 发明（设计）人： | 廖忠志 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C11/413 | 分类号： | G11C11/413 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明涉及存储芯片和制造存储芯片的布局设计。静态随机存取存储器(SRAM)芯片包括多个SRAM单元和多个单元电流跟踪单元。每个SRAM单元包括电源电压参考导体、第一接地参考导体、两个交叉耦合反相器、和两个传输栅极器件。每个单元电流跟踪单元包括第一半单元和第二半单元。第一半单元不同于第二半单元。 | ||
| 搜索关键词： | 存储芯片 半单元 导体 布局设计 单元电流 跟踪单元 静态随机存取存储器 交叉耦合反相器 传输栅极 电源电压 接地参考 制造 芯片 参考 | ||
【主权项】：
1.一种静态随机存取存储器SRAM芯片，包括：多个SRAM单元，其中，每个所述SRAM单元都包括：电源电压参考导体；第一接地参考导体；两个交叉耦合反相器；和两个传输栅极器件；以及多个单元电流跟踪单元，其中，所述多个单元电流跟踪单元中的每个单元电流跟踪单元都包括：第一半单元，其中，所述第一半单元包括：第一跟踪位线导体；第一互补金属氧化物半导体CMOS包括：第一下拉(PD)器件，和第一上拉(PU)器件，和第一传输栅极器件，被配置为跟踪电流；以及第二半单元，其中，所述第二半单元包括：第二CMOS器件，包括：第二下拉器件，和第二上拉器件，和第二传输栅极器件，被配置为接收字线信号；多个电容跟踪单元，其中，所述多个电容跟踪单元中的每个电容跟踪单元都包括：第三半单元，其中，所述第三半单元包括：第三传输栅极器件，被配置为跟踪位线电容；和第三CMOS，所述第三CMOS包括：第三上拉器件，和第三下拉器件，所述第三下拉器件具有被配置为电浮置的源极节点；第四半单元，其中，所述第四半单元包括：第四传输栅极器件，被配置为伪单元；和第四CMOS，所述第四CMOS包括：第四上拉器件，和第四下拉器件，所述第四下拉器件的源极节点电连接至第二接地参考导体；其中，所述第一半单元不同于所述第二半单元，所述第三半单元不同于所述第四半单元；所述第一CMOS的所述第一下拉器件的栅极或者所述第一CMOS的所述第一上拉器件的栅极电连接至所述电源电压参考导体；所述第二上拉器件的漏极节点与所述第二下拉器件的漏极节点电隔离；所述第一传输栅极器件的栅极节点电连接至跟踪使能导体；所述第二传输栅极器件的栅极节点电连接至第一字线导体；所述第三传输栅极器件的栅极节点电连接至所述第二接地参考导体；以及所述第四传输栅极器件的栅极节点电连接至所述第一字线导体。
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