[发明专利]利用微波退火技术低温制备GOI的方法

摘要

本发明提供一种利用微波退火技术低温制备GOI的方法，至少包括以下步骤：首先提供一衬底并在其上依次外延掺杂层及第一Ge层；然后进行离子注入，使离子注入到所述掺杂层下表面以下预设深度；再提供一表面形成有绝缘层的基板，与第一Ge层键合形成键合片，并进行微波退火处理，使掺杂层吸附离子形成微裂纹从下表面处剥离，得到绝缘体上锗。本发明利用掺杂层吸附剥离及键合来制备GOI，其中，对键合片进行微波退火处理，微波退火处理过程中，掺杂层与衬底界面处局域温度较高以致剥离，而键合片整体温度较低，使得掺杂离子不易扩散到第一Ge层中，且低温不会对第一Ge层及其它层产生不良影响，有利于制备得到高质量的GOI。

主权项

一种利用微波退火技术低温制备GOI的方法，其特征在于，至少包括以下步骤：S1：提供一衬底，在所述衬底上外延一掺杂层；S2：在所述掺杂层上外延第一Ge层；S3：进行离子注入，使离子注入到所述掺杂层下表面以下预设深度；S4：提供一表面形成有绝缘层的基板，将所述绝缘层与所述第一Ge层键合，形成键合片；S5：对所述键合片进行微波退火处理，使所述掺杂层吸附离子形成微裂纹，使所述键合片从所述掺杂层下表面处剥离，得到自下而上依次包括基板、绝缘层及第一Ge层的绝缘体上锗。