[发明专利]一种半导体器件及其制作方法和电子装置有效
| 申请号： | 201410475181.3 | 申请日： | 2014-09-17 |
| 公开（公告）号： | CN105480936B | 公开（公告）日： | 2017-05-10 |
| 发明（设计）人： | 陈福成 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | B81C1/00 | 分类号： | B81C1/00;B81B7/00 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所11336 | 代理人： | 董巍,高伟 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体器件及其制作方法和电子装置，所述制作方法包括提供器件晶圆，在所述器件晶圆上形成焊盘；在所述焊盘的两侧壁上形成侧墙；提供封帽晶圆，所述封帽晶圆上形成有键合层，和位于所述键合层之间的凹槽；进行键合工艺，将所述封帽晶圆上的键合层和所述器件晶圆上的焊盘键合在一起。根据本发明的制作方法，键合过程中，铝锗键合层熔化受压后铝会发生横向延展，而由于铝焊盘两侧侧墙的存在，可以阻碍铝的延展，防止其影响到密闭空腔中的器件，尤其是在密闭空腔中的微机械结构区的可动结构，进而提高器件的可靠性和整体性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 及其 制作方法 电子 装置 | ||
【主权项】：
一种半导体器件的制作方法，包括：提供器件晶圆，在所述器件晶圆上形成焊盘；在所述焊盘的两侧壁上形成侧墙；提供封帽晶圆，所述封帽晶圆上形成有键合层，和位于所述键合层之间的凹槽；进行键合工艺，将所述封帽晶圆上的键合层和所述器件晶圆上的焊盘键合在一起，当所述键合层和所述焊盘键合有电性连接时，所述侧墙在键合过程中消耗完。
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