[发明专利]VDMOS沟槽刻蚀方法及VDMOS在审
| 申请号： | 201410476065.3 | 申请日： | 2014-09-17 |
| 公开（公告）号： | CN105489482A | 公开（公告）日： | 2016-04-13 |
| 发明（设计）人： | 赵圣哲 | 申请（专利权）人： | 北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/3065 | 分类号： | H01L21/3065 |
| 代理公司： | 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 | 代理人： | 李相雨 |
| 地址： | 100871 北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种VDMOS沟槽刻蚀方法，该方法在真空腔体中采用感应耦合等离子体刻蚀工艺对半导体衬底进行刻蚀，在刻蚀的过程中所述真空腔体的压力为120到130毫托。本发明中，由于提高了刻蚀过程中真空腔体内的压力，这样能够有效降低等离子体在沟槽底部的存在时间，降低化学反应速率，从而使刻蚀过程更加可控，能够有效避免沟槽底部的过刻。 | ||
| 搜索关键词： | vdmos 沟槽 刻蚀 方法 | ||
【主权项】：
一种垂直双扩散金属‑氧化物半导体场效应晶体管VDMOS沟槽刻蚀方法，其特征在于，该方法在真空腔体中采用感应耦合等离子体刻蚀工艺对半导体衬底进行刻蚀，在刻蚀的过程中所述真空腔体的压力为120到130毫托。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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