[发明专利]一种具有复合势垒层的氮化镓基异质结场效应管有效
| 申请号： | 201410476301.1 | 申请日： | 2014-09-17 |
| 公开（公告）号： | CN104201202B | 公开（公告）日： | 2017-01-25 |
| 发明（设计）人： | 杜江锋;潘沛霖;陈南庭;刘东;于奇 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L29/06;H01L29/10 |
| 代理公司： | 成都宏顺专利代理事务所(普通合伙)51227 | 代理人： | 李玉兴 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种具有复合势垒层的氮化镓基异质结场效应晶体管。本发明的器件中复合势垒层由高低不同极化强度铝铟镓氮材料组成，当低极化强度铝铟镓氮势垒层位于栅极漏端，使这部分势垒层下方沟道的二维电子气(2DEG)密度小于沟道漏端其他位置的2DEG密度，形成LDD结构，从而实现调制沟道的电场分布以提升耐压能力；当低极化强度铝铟镓氮势垒层位于栅极正下方区域，栅下氮化镓(GaN)沟道导带底呈阶梯式分布，由于势垒的下降使栅下沟道载流子的漂移速度增加，在2种不同元素组分铝铟镓氮势垒层之间产生电场的峰值，使沟道电势更多的分布在栅极漏端而不是整个栅极，以抑制漏至势垒下降(DIBL)效应。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 具有 复合 势垒层 氮化 镓基异质结 场效应 | ||
【主权项】：
一种具有复合势垒层的氮化镓基异质结场效应管，包括衬底(101)、设置在衬底(101)上层的氮化镓缓冲层(102)、设置在氮化镓缓冲层(102)上层的氮化镓沟道层(103)、源极(105)、漏极(106)和栅极(107)；其特征在于，在氮化镓沟道层(103)上层设置有复合势垒层，所述源极(105)和漏极(106)位于复合势垒层上表面的两端并与复合势垒层形成欧姆接触，所述栅极(107)位于复合势垒层上表面的中部并与复合势垒层形成肖特基接触；所述复合势垒层由高极化强度势垒层(201)和低极化强度势垒层(202)构成，所述低极化强度势垒层(202)的两端连接高极化强度势垒层(201)。
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