[发明专利]一种全铝背发射极N型单晶电池的制作方法

摘要

本发明提供了一种全铝背发射极N型单晶电池的制作方法，其特征在于，具体步骤包括：步骤1：在N型单晶硅片的正面制绒，使用磷扩散，刻蚀清洗，镀减反膜；步骤2：在N型单晶硅片的背面印刷全铝背场并烘干；步骤3：在N型单晶硅片的正面印刷主副栅线电极银浆并烧结；步骤4：在全铝背场上印刷导电银浆作为电极并烘干。本发明实现了在传统P型电池生产线上生产N型单晶电池，避免了整线设备二次巨额投入、扩散工艺改变等问题，降低N型电池的直接制造成本，降低了N型单晶批量化生产的入门条件，避免了高成本设备投入、扩散工艺改变等问题，降低N型电池的制造成本，配合全铝背结构工艺，提高了其转换效率。

主权项

一种全铝背发射极N型单晶电池的制作方法，其特征在于，具体步骤包括：步骤1：在N型单晶硅片的正面制绒，使用磷扩散，刻蚀清洗，镀减反膜；步骤2：在N型单晶硅片的背面印刷全铝背场并烘干；步骤3：在N型单晶硅片的正面印刷主副栅线电极银浆并烧结；步骤4：在全铝背场上印刷导电银浆作为电极并烘干。