[发明专利]具有弛豫减少衬垫的半导体器件及其相关方法

摘要

一种用于形成半导体器件的方法包括在应变的绝缘体上半导体晶片的应变半导体层上形成掩模层。形成约束了应变半导体层的隔离沟槽。隔离沟槽延伸穿过掩模层并且进入SOI晶片中而越过其氧化物层。电介质本体形成在隔离沟槽中。弛豫减少衬垫形成在电介质本体上以及在应变半导体层的相邻侧壁上。移除了在应变半导体层上的掩模层。

主权项

1.一种用于形成半导体器件的方法，包括：在应变的、绝缘体上半导体晶片的应变半导体层上形成掩模层，所述晶片包括衬底、在所述衬底上的氧化物层、以及在所述氧化物层上的应变半导体层；形成穿过所述应变半导体层、穿过所述掩模层以及进入所述衬底的隔离沟槽，所述隔离沟槽暴露在所述隔离沟槽内的所述应变半导体的第一侧表面和第二侧表面；在所述隔离沟槽中形成电介质本体，所述电介质本体直接接触所述氧化物层和所述衬底；在所述电介质本体上形成弛豫减少衬垫，所述弛豫减少衬垫在所述隔离沟槽内在所述应变半导体层的所述第一侧表面和所述第二侧表面之间延伸，并且邻接所述第一侧表面和所述第二侧表面，所述弛豫减少衬垫的一部分在所述掩模层上，并且所述弛豫减少衬垫的下表面与所述应变半导体层的下表面共面；从所述应变半导体层移除所述掩模层和在所述掩模层上的所述弛豫减少衬垫的所述部分，所述弛豫减少衬垫的第一上表面在移除所述掩模层之后与所述应变半导体层的上表面共面；在所述应变半导体层中形成源极区域和漏极区域中的至少一项，所述源极区域和所述漏极区域中的所述至少一项在所述氧化物层上并与所述氧化物层直接接触，并且邻接所述弛豫减少衬垫；以及在去除所述掩模层和所述弛豫减少衬垫的所述部分之后，在所述应变半导体层之上形成栅极堆叠。