[发明专利]多结太阳能电池及其制备方法有效
申请号: | 201410476796.8 | 申请日: | 2014-09-18 |
公开(公告)号: | CN104201229A | 公开(公告)日: | 2014-12-10 |
发明(设计)人: | 吴超瑜;毕京锋;陈文浚;林桂江;宋明辉;刘冠洲;王笃祥 | 申请(专利权)人: | 厦门市三安光电科技有限公司 |
主分类号: | H01L31/0725 | 分类号: | H01L31/0725;H01L31/18 |
代理公司: | 无 | 代理人: | 无 |
地址: | 361009 福建省厦*** | 国省代码: | 福建;35 |
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摘要: | 本发明公开了一种多结太阳能电池及其制备方法,其结构至少包括晶格失配的第一子电池和第二子电池,一渐变缓冲层形成于所述第一、第二子电池之间,一隧穿结插入所述渐变缓冲层内,所述隧穿结与两侧渐变缓冲层失配,同时具有应力平衡和隧穿效应。本发明将隧穿结嵌入存在晶格失配的多结电池的渐变缓冲层中间,隧穿结与两侧渐变缓冲层失配,两侧界面位错集中,穿透位错可以在此层扭曲、转向或者湮没,避免了穿透位错向P-N结有源区滑移,有效降低了结区位错密度,并在一定程度上平衡了两侧应力。 | ||
搜索关键词: | 太阳能电池 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
多结太阳能电池,至少包括晶格失配的第一子电池和第二子电池,一渐变缓冲层形成于所述第一、第二子电池之间,一隧穿结插入所述渐变缓冲层内,所述隧穿结与两侧渐变缓冲层失配,同时具有应力平衡和隧穿效应。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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