[发明专利]一种利用温室大棚栽培草菇的培养工艺无效

专利信息
申请号: 201410477351.1 申请日: 2014-09-18
公开(公告)号: CN104255296A 公开(公告)日: 2015-01-07
发明(设计)人: 仵强;刘芹;蒋永刚;张浩东;孟胜楠 申请(专利权)人: 陕西杨凌天和生物科技有限责任公司
主分类号: A01G1/04 分类号: A01G1/04
代理公司: 西安新思维专利商标事务所有限公司 61114 代理人: 韩翎
地址: 712100 陕西*** 国省代码: 陕西;61
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摘要: 发明公开了一种利用温室大棚栽培草菇的培养工艺,该培养工艺包括:步骤1:将配比好的栽培料在室外进行堆制,堆高1.2-1.4米,堆的长度和宽度视场地情况而定,建堆结束后立即进行喷淋发酵,喷淋3-5天,发酵3-5天后翻堆;步骤2:将发酵好的栽培料及时装入栽培箱内,将栽培箱移入大棚;步骤3:发酵结束后,待栽培料的料温降至35℃时播种,播种结束后控制料温为28-35℃,空气相对湿度在85%以上,利于菌丝萌发和生长;步骤4:发菌4-6天后,料块上开始出现菇蕾,此时降低温室内的温度到28-32℃之间,湿度增加到90%,菇蕾经过4-5天的生长后达到采收阶段。本发明不需进行第二次发酵,有效缩短了生产周期。
搜索关键词: 一种 利用 温室 大棚 栽培 草菇 培养 工艺
【主权项】:
一种利用温室大棚栽培草菇的培养工艺,其特征在于,该培养工艺包括:步骤1:将配比好的栽培料在室外进行堆制,堆高1.2‑1.4米,堆的长度和宽度视场地情况而定,建堆结束后立即进行喷淋发酵,喷淋3‑5天,发酵3‑5天后翻堆;步骤2:将发酵好的栽培料及时装入栽培箱内,将栽培箱移入大棚;步骤3:发酵结束后,待栽培料的料温降至35℃时播种,播种结束后控制料温为28‑35℃,空气相对湿度在85%以上,利于菌丝萌发和生长;步骤4:发菌4‑6天后,料块上开始出现菇蕾,此时降低温室内的温度到28‑32℃之间,湿度增加到90%,菇蕾经过4‑5天的生长后达到采收阶段。
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