[发明专利]用于超低功率应用的IO中的改进静电流有效
| 申请号： | 201410478412.6 | 申请日： | 2014-09-18 |
| 公开（公告）号： | CN104465648B | 公开（公告）日： | 2018-02-02 |
| 发明（设计）人： | 穆克什·奈尔 | 申请（专利权）人： | 恩智浦有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/02 | 分类号： | H01L27/02 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司11021 | 代理人： | 王波波 |
| 地址： | 荷兰艾*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种输入/输出IO电路，包括IO驱动电路；静电放电ESD保护半导体开关，其中具有被配置为接收ESD的第一输入端、连接到ESD轨道的第二输入端以及开关控制输入端；ESD触发电路，连接到开关控制输入端，其中ESD触发电路被配置为在ESD检测电路检测到ESD时产生用来闭合保护半导体开关的触发信号；以及偏置电路，被配置为在IO电路处于正常操作时向ESD保护半导体开关的隔离阱提供反偏置信号。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 功率 应用 io 中的 改进 静电 | ||
【主权项】：
一种输入/输出IO电路，包括：IO驱动电路；静电放电ESD保护半导体开关，具有被配置为接收ESD的第一输入端、连接到ESD轨道的第二输入端以及开关控制输入端；ESD触发电路，连接到开关控制输入端，其中ESD触发电路被配置为产生用来在ESD检测电路检测到ESD时闭合保护半导体开关的触发信号；偏置电路，被配置为在IO电路正常操作时向ESD保护半导体开关的隔离阱提供反偏置信号,以及输出半导体开关，被连接在ESD触发电路和开关控制输入端之间，所述输出半导体开关被配置为将ESD触发电路与负的反偏置信号隔离。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
